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产品中心
  • OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款双温区的PE-CVD管式炉系统,组成部分为500W的射频发生器、滑动速度可控的双温区滑轨炉,预热炉(作用为使固体原料蒸发)和德国进口的无油泵。此款PE-CVD对于生长纳米线或用CVD,方法来制作各种薄膜是一款新的探索工具。
  • GSL-1700X-F3LV是一款CE认证的管式炉CVD系统,其真空泵采用双旋片式,混气系统采用三路浮子供气系统,*高温度可以达到1700°C,真空度可达到5x10-2 torr ,可以混合1-3种气体。
  • 三温区三通道混气CVD系统是一款通过CE认证的三温区管式炉CVD系统,其炉管直径为60mm,其真空泵采用双旋机械泵,混气系统为3路浮子混气系统。此高温炉烧结温度可达1700℃,真空度可达到5x10-2 torr ,可以混合1-3种气体。
  • 九通道混气高真空CVD系统GSL-1700X-80-HVC9 is CE certified 80mm diameter alumina tube furnace with vacuum pump system (up to 10-5 torr) and 9 channel precision digital Mass flow-meters, which can control nine types of gases f
  • GSL-1700X-4-HVC是一款CE认证的二通道高真空CVD系统,其炉管直径为4英寸,它是由二路质子混气系统和高真空机组组成,其*高工作温度可达1600℃,极限真空度可达 to 10^-5 torr。混气系统可以对两种气体进行**的混气,然后导入到管式炉内部。
  • RTP-1000D4HV is a compact rapid thermal processing tube (4" I.D.) furnace with Compact Turbomolecular Vacuum Pump Station and KF-D25 vacuum flange. It is designed for annealing semiconductor wafer or
  • 该系统由开启式真空管式炉、多路气体混合系统、高真空系统(机械泵+分子泵)组成。主要用于电子陶瓷产品的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积(CVD)工艺等。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000的环境体系要求),不会造成环境污染; 该产品符合含采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员健康造成伤害
  • 脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被称为脉冲激光烧蚀(pulsed laserablation,PLA),是一种利用激光对物体进行轰击,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段。我公司依据实验要求设计制作该款设备以适应各类薄膜研究的需要。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000的环境体系要
  • This is a super-miniture PECVD furncce with 3" diameter x 16" L glass chamber and complete acessories for the research of various film deposition. The sample zone of plasma furnace can be heated to 25
  • OTF-1200X-4-C4LVS is a special dual tube CVD system designed for growing thin film on the metal foil, especially for preparing flexible electrode on metallic foil for new generation energy research.
  • OTF-1200X-4-RTP3CHV, the whole system includes one compact RTP 4" tube furnace, one 4L/min water chiller and a mobile station with three channels gas flow control (MFC) and high vacuum station (molecu
  • EQ-RTP1000-LV3C is 4" I.D RTP (rapid thermal processing) tube furnace with three flowmeters and one machanical pump up to 10-3 torr vacuum. It is designed for annealing semiconductor wafer & solar cel
  • GSL-1600X-80-HV is a CE certified high temperature alumina tube furnace with high vacuum system. It can be heat up to 1600oC by MoSi2 heating element and achieve vacuum pressure up to 10 -5 torr with
  • GSL-1600X-4-F3LV is a CE certified 4" alumina tube furnace with mechanical vacuum pump and three channels gas flowing system, which can achieve vacuum degree up to 5x10-2 torr and mix 1- 3 type of g
  • 为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积法(PECVD) 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定(含采购商ISO14000环境体系的要求),不会造成环境污染; 该产品符合含采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求,不会对接触产品的人员健康造成伤害!
  • OTF-1200X-4-III-9HV is CE certifed 4" diameter split three zone tube furnace with vacuum pump system (up to 10-5 torr) and 9 channel precision digital Mass flow-meters, which can control nine types of OTF-1200X-4-III-9HV是一款CE认证的九通道高真空三温区CVD系统,齐炉管直径为4英寸,它是由九通道质量流量控制器和高真空机组组成,其*高温度可达1200℃,极限真空可达to 10^-5 torr,混气系统可以对1-9种气体进行精-确的混气,然后导入到管式炉内部,用来研究气体环境对材料的影响。
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